Bericht versturen
Thuis > producten > IGBT-voedingsmodule > Van de de Machtsmodule van HGT1S7N60A4DS IGBT de Transistors Enige IGBTs

Van de de Machtsmodule van HGT1S7N60A4DS IGBT de Transistors Enige IGBTs

Categorie:
IGBT-voedingsmodule
Prijs:
Negotiable
Betalingswijze:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificaties
Artikelnummer:
HGT1S7N60A4DS
Fabrikant:
Fairchild/ON Halfgeleider
Beschrijving:
IGBT 600V 34A 125W TO263AB
Categorie:
De transistors - IGBTs - kiezen uit
Familie:
De transistors - IGBTs - kiezen uit
Inleiding

HGT1S7N60A4DS specificaties

Deelstatus Verouderd
IGBT-Type -
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender 600V
Huidig - Collector ((Maximum) Ic) 34A
Huidig - Gepulseerde Collector (Icm) 56A
(Maximum) Vce () @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A
Maximum macht - 125W
Omschakelingsenergie 55µJ (), 60µJ (weg)
Inputtype Norm
Poortlast 37nC
(On/off) Td @ 25°C 11ns/100ns
Beproevingsomstandigheid 390V, 7A, 25 Ohm, 15V
Omgekeerde Terugwinningstijd (trr) 34ns
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Pakket/Geval Aan-263-3, D ² Pak (2 Lood + Lusje), aan-263AB
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-263AB
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

HGT1S7N60A4DS verpakking

Opsporing

Van de de Machtsmodule van HGT1S7N60A4DS IGBT de Transistors Enige IGBTsVan de de Machtsmodule van HGT1S7N60A4DS IGBT de Transistors Enige IGBTsVan de de Machtsmodule van HGT1S7N60A4DS IGBT de Transistors Enige IGBTsVan de de Machtsmodule van HGT1S7N60A4DS IGBT de Transistors Enige IGBTs

Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
Negotiable