Bericht versturen
Thuis > producten > IGBT-voedingsmodule > Van de de Machtsmodule van IRG8CH20K10F IGBT de Transistors Enige IGBTs

Van de de Machtsmodule van IRG8CH20K10F IGBT de Transistors Enige IGBTs

Categorie:
IGBT-voedingsmodule
Prijs:
Negotiable
Betalingswijze:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificaties
Artikelnummer:
IRG8CH20K10F
Fabrikant:
Infineon Technologies
Beschrijving:
De ULTRASNELLE MATRIJS van IGBT 1200V
Categorie:
De transistors - IGBTs - kiezen uit
Familie:
De transistors - IGBTs - kiezen uit
Inleiding

IRG8CH20K10F specificaties

Deelstatus Verouderd
IGBT-Type -
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender 1200V
Huidig - Collector ((Maximum) Ic) -
Huidig - Gepulseerde Collector (Icm) -
(Maximum) Vce () @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A
Maximum macht - -
Omschakelingsenergie -
Inputtype Norm
Poortlast 90nC
(On/off) Td @ 25°C 20ns/170ns
Beproevingsomstandigheid 600V, 15A, 10 Ohm, 15V
Omgekeerde Terugwinningstijd (trr) -
Werkende Temperatuur -40°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Pakket/Geval Matrijs
Het Pakket van het leveranciersapparaat Matrijs
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

IRG8CH20K10F verpakking

Opsporing

Van de de Machtsmodule van IRG8CH20K10F IGBT de Transistors Enige IGBTsVan de de Machtsmodule van IRG8CH20K10F IGBT de Transistors Enige IGBTsVan de de Machtsmodule van IRG8CH20K10F IGBT de Transistors Enige IGBTsVan de de Machtsmodule van IRG8CH20K10F IGBT de Transistors Enige IGBTs

Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
Negotiable