Bericht versturen
Vraag een offerte aan |
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

Mosfet van de halfgeleidersmacht Transistorn Kanaal STB24N60DM2

Alle producten

IC's voor geïntegreerde schakelingen

(7037)

Geheugen IC-chip

(2998)

Analoge Isolator IC

(2527)

Microcontrollers en Ingebedde Bewerkers

(4999)

Veldeffecttransistor

(1833)

IGBT-voedingsmodule

(1002)

Diodetriode

(303)

Algemeen Doelcondensator

(41)

Connectors Interconnects

(83)

SMD-Machtsinductor

(100)

Relaiscomponent

(203)

De Zekeringen van de kringsbescherming

(195)
Ik ben online Chatten Nu

Mosfet van de halfgeleidersmacht Transistorn Kanaal STB24N60DM2

Mosfet van de halfgeleidersmacht Transistorn Kanaal STB24N60DM2
Mosfet van de halfgeleidersmacht Transistorn Kanaal STB24N60DM2 Mosfet van de halfgeleidersmacht Transistorn Kanaal STB24N60DM2 Mosfet van de halfgeleidersmacht Transistorn Kanaal STB24N60DM2

Grote Afbeelding :  Mosfet van de halfgeleidersmacht Transistorn Kanaal STB24N60DM2

Productdetails:
Merknaam: STMicroelectronics
Modelnummer: STB24N60DM2
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: Beschikbare hoeveelheid 41128 stuks
Contact

Mosfet van de halfgeleidersmacht Transistorn Kanaal STB24N60DM2

beschrijving
Productmodel: STB24N60DM2 Leverancierspakket: Aan-263-3
Korte Beschrijving: MOSFET Polariteit van de transistor: N-kanaal
Toepassingsgebieden: Schakelen tussen applicaties Fabricagedatum: Binnen een jaar
Hoog licht:

Mosfet van de halfgeleidersmacht Transistor

,

Machtsmosfet Transistorn Kanaal

,

STB24N60DM2

Assortiment
 
  • STB24N60DM2 Mosfet van de halfgeleidersmacht het Effect van het Transistorsgebied Afzonderlijke Transistor   N-Channel
  • N-channel 600 V, 0,13 type Ω., 21 een Machtsmosfets van MDmesh™ DM2 in D de pakketten van ² PAK, aan-220 en aan-247
App Kenmerken
  1.   Eigenschappen
  •  De diode van het snel-terugwinningslichaam
  •  Uiterst - lage poortlast en ingevoerde capacitieve weerstand
  •  Lage op-weerstand
  •  100% geteste lawine
  •  Uiterst hoge dv/dt-ruwheid
  •  Zener-beschermd
  1. Beschrijving
  • Deze hoogspanningsn-channel Machtsmosfets maken deel uit van de reeks van de de terugwinningsdiode van MDmesh™ DM2 snelle. Zij bieden zeer lage die terugwinningslast (Qrr) en tijd (trr) aan met lage RDS () wordt gecombineerd, makend hen voor de het eisen het hoog rendementconvertors en ideaal voor brugtopologieën en ZVS-phase-shift convertors geschikt.
Basisgegevens
 
Productkenmerk Kenmerkwaarde
STMicroelectronics
Productcategorie: MOSFET
RoHS: Details
Si
SMD/SMT
Aan-263-3
N-Channel
1 kanaal
600 V
18 A
200 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
nC 29
- 55 C
+ 150 C
150 W
Verhoging
FDmesh
Spoel
Besnoeiingsband
Spoel
Merk: STMicroelectronics
Configuratie: Kies uit
Dalingstijd: 15 NS
Producttype: MOSFET
Stijgingstijd: 8,7 NS
Reeks: STB24N60DM2
1000
Subcategorie: MOSFETs
De typische Tijd van de Productvertraging: 60 NS
De typische Tijd van de Inschakelenvertraging: 15 NS
Eenheidsgewicht: 0,139332 oz
DOWNLOADinformatieblad
Toepassing
 
  • Omschakelingstoepassingen
  • BLDC-Motoren
  • Permanente Magneet Synchrone Motoren in drie stadia
  • Omschakelaars
  • Halve Brugbestuurders
  • Robotachtige Controlesystemen
  • Toestellen
  •  Netinfrastructuur
  •  EPOS • Huis theate
  •  Verdeelde Machtssystemen
  •  Communicatie/Voorzien van een netwerkinfrastructuur
Ordeproces

 

Voeg Delen aan RFQ vorm toe Leg RFQ voor Wij antwoorden binnen 24 uren
U bevestigt orde Betaling Schip uit uw orde
Meer MOSFET Modellen

 

STB30NF20 STB18NF25 STB32NM50N STB15N80K5 STB21N90K5
STB24N60DM2 STB15810 STB75NF20 STB6N60M2 STB46NF30
IRFB3207PBF IRFB38N20DPBF IRFB3306PBF IRFB5615PBF IRFB4310ZPBF
IRFB4110PBF IRFB4127PBF IRFB7730PBF IRFB7440PBF IRFB7537PBF
Geïntegreerde schakelingen Ics
SSD2832G24 SSD2830QL9 SSD2829QL9 SSD2861QN10 SSD2858K1
SSD2848K1 SSD2828QN4 SSD2805CG39R SSD1963G41 A4988settr-t
MIC28515T-E/PHA MIC28514T-E/PHA Mic28513-1yfl-RT MIC28516T-E/PHA Mic28510yjl-RT
TPS54160DGQR TPS54160ADRCR TPS54140ADRCR TPS5410MDREP TPS54336ADDAR
LM2596SXADJ LM2596SX-3.3 LM2596SX-5.0 LM2596SX-12 DRV8312DDWR
Microcontrollers-MCU
STM8S003F3P6 STM8S003F3U6TR STM8S003K3T6C STM8S003F3P6TR STM8S003K3T6CT
STM8S005C6T6C STM8S005K6T6C STM8S103K3T6C STM8S105K6T6C Meer IC-modellen
STM32F030R8T6 STM32F030C6T6 STM32F030F4P6 STM32F030C8T6 STM32F030K6T6
STM32F030R8T6TR STM32F030CCT6 STM32F030RCT6 STM32F030K6T6T STM32F030CCT6TR
STM32F042C6T6 STM32F042K6T6 STM32F042K4U6 STM32F042F6P7 STM32F042F4P6TR
STM32F042K6U7 STM32F042G4U6 STM32F042F4P6 STM32F042C6U7 STM32F042K6T7
Chip Diagram

Mosfet van de halfgeleidersmacht Transistorn Kanaal STB24N60DM2 0

Mosfet van de halfgeleidersmacht Transistorn Kanaal STB24N60DM2 1

label:

FET Gebiedseffect Transistor,

Machtsmosfet Transistor,

Mosfet het Effect van het Spaander75vpower Gebied Transistor

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Over

IC's voor geïntegreerde schakelingen

Van de cipreshalfgeleider ICS USB de Monolithische Kring Van geïntegreerde schakelingen 48TQFP CY7C65632-48AXC

Van het batterijbeheer de Spaander van de de Brandstofmaat ICS Ti van Van geïntegreerde schakelingen BQ20Z65DBTR-R1

De Controlemechanismenbestuurders IRL IR2110STRPBF van SMD/SMT-ICs Ontsteking van de Van geïntegreerde schakelingen

STM32F405RGT6 Microcontrollers en Ingebedde Bewerkersmcu St 1024 FLITS

STM32F407VET6 geïntegreerde schakelingen ICs

MCU Ingebedde Bewerkers & Controlemechanismen STM32F103RCT6

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | China Goed Kwaliteit IC's voor geïntegreerde schakelingen Leverancier. © 2023 integratedcircuitsics.com. All Rights Reserved.