Bericht versturen
Thuis>producten>

power mosfet transistor

Keywords   [ power mosfet transistor ]  Match 1608 producten.
Beelddeel #BeschrijvingfabrikantVoorraadRFQ
Mosfet van de halfgeleidersmacht Transistorn Kanaal STB24N60DM2

Mosfet van de halfgeleidersmacht Transistorn Kanaal STB24N60DM2

BLDC-het Effect van het Motorengebied Mosfet IPB017N10N5 Infineon van de Transistormacht

BLDC-het Effect van het Motorengebied Mosfet IPB017N10N5 Infineon van de Transistormacht

De Macht Mos Transistor Chip IPD060N03LGATMA1 van de kringsbescherming

De Macht Mos Transistor Chip IPD060N03LGATMA1 van de kringsbescherming

Infineon Technologies Mosfet Enkele IGBT Power Module Transistors 600V 23A 100W IRG4BC30UDPBF

Infineon Technologies Mosfet Enkele IGBT Power Module Transistors 600V 23A 100W IRG4BC30UDPBF

STP110N8F6 Mosfet Afzonderlijke Halfgeleiderapparaten voor het Schakelen Toepassingen

STP110N8F6 Mosfet Afzonderlijke Halfgeleiderapparaten voor het Schakelen Toepassingen

N het Effect van het Kanaalgebied Transistormosfet Afzonderlijke Halfgeleiders IRFS3207ZTRRPBF

N het Effect van het Kanaalgebied Transistormosfet Afzonderlijke Halfgeleiders IRFS3207ZTRRPBF

IRFB4110PBF afzonderlijke Halfgeleiderstransistors voor Kringsbescherming

IRFB4110PBF afzonderlijke Halfgeleiderstransistors voor Kringsbescherming

Het Effect van SMD/SMT-van het Gebied Transistor Chip Circuit Protection IRF8736TRPBF 30V 18A

Het Effect van SMD/SMT-van het Gebied Transistor Chip Circuit Protection IRF8736TRPBF 30V 18A

Van de de Machts Afzonderlijke Halfgeleider SPW35N60C3 van IGBT CoolMOS de Transistormosfet IGBT n-CH 650V 34.6A

Van de de Machts Afzonderlijke Halfgeleider SPW35N60C3 van IGBT CoolMOS de Transistormosfet IGBT n-CH 650V 34.6A

AO4266E Field Effect Transistor N-Channel 60V 11A Mosfet Single Surface Mount SOP8

AO4266E Field Effect Transistor N-Channel 60V 11A Mosfet Single Surface Mount SOP8

AO4264E Transistor met veldeffect N Kanaal 60V 13.5A Mosfet Oppervlakte-montage SOP8 4264

AO4264E Transistor met veldeffect N Kanaal 60V 13.5A Mosfet Oppervlakte-montage SOP8 4264

Gebiedseffect Mosfet van de Transistorao3402 Macht N-Channel 30v 4a Sot23 Fets kiezen het Merken van A2 uit

Gebiedseffect Mosfet van de Transistorao3402 Macht N-Channel 30v 4a Sot23 Fets kiezen het Merken van A2 uit

IRG7PH42UDPBF IGBT-vermogenstransistors 1200V 85A 320W TO247AC Infineon Technologies 7PH42 Mosfet

IRG7PH42UDPBF IGBT-vermogenstransistors 1200V 85A 320W TO247AC Infineon Technologies 7PH42 Mosfet

N-kanaal 600V, 0,065 Ω typ., 40A Power MOSFET in een TO-247 pakket STW48N60DM2 Field Effect Transistor

N-kanaal 600V, 0,065 Ω typ., 40A Power MOSFET in een TO-247 pakket STW48N60DM2 Field Effect Transistor

390V 20A 125W IGBT-voedingsmodule NGD8205ANT4G Type logische invoer 8205 Mosfet

390V 20A 125W IGBT-voedingsmodule NGD8205ANT4G Type logische invoer 8205 Mosfet

IRFS3207Z het Effect van het machtsgebied Transistormosfet Spaander 75V 170A voor Kringsbescherming

IRFS3207Z het Effect van het machtsgebied Transistormosfet Spaander 75V 170A voor Kringsbescherming

IRFB3206PBF enige Gebiedseffect Mosfet IRL van het Transistor60v N Kanaal

IRFB3206PBF enige Gebiedseffect Mosfet IRL van het Transistor60v N Kanaal

AOD4186 diodethyristor MOSFETs Alpha And Omega Semiconductor FETs kiezen n-CH 40V 10A TO252 D4186 uit

AOD4186 diodethyristor MOSFETs Alpha And Omega Semiconductor FETs kiezen n-CH 40V 10A TO252 D4186 uit

AO4616 Field Effect Transistor SOP8 SOIC8 MOS FET's Eén N+P-kanaal

AO4616 Field Effect Transistor SOP8 SOIC8 MOS FET's Eén N+P-kanaal

SLH60R080SS MOSFET 600V47A n-Channne aan-247 FET Nieuwe Originele 68mΩ 290W

SLH60R080SS MOSFET 600V47A n-Channne aan-247 FET Nieuwe Originele 68mΩ 290W

TPN1R603PL,L1Q Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

TPN1R603PL,L1Q Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

TPHR9203PL, L1Q-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

TPHR9203PL, L1Q-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

TPH2R506PL, L1Q-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

TPH2R506PL, L1Q-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

LET9060S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

LET9060S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CSD18514Q5AT gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

CSD18514Q5AT gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

NTMFS5C430NT1G gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

NTMFS5C430NT1G gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

NTMFS5C426NT1G gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

NTMFS5C426NT1G gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

PD85006 L-E Field Effect Transistor-Transistorsfets MOSFETs rf Spaander

PD85006 L-E Field Effect Transistor-Transistorsfets MOSFETs rf Spaander

C3M0120100K gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

C3M0120100K gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STGW45HF60WDI IGBT Pakkettypes 600V 70A 250W TO247 Pakket Nieuwe originele fabriek 45HF60 MOSFET

STGW45HF60WDI IGBT Pakkettypes 600V 70A 250W TO247 Pakket Nieuwe originele fabriek 45HF60 MOSFET

PH2925U, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

PH2925U, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

PSMN1R5-30YL, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

PSMN1R5-30YL, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

PSMN1R2-30YLDX Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

PSMN1R2-30YLDX Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

PSMN1R5-25YL, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

PSMN1R5-25YL, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

SD4933MR Field Effect Transistor-Transistorsfets MOSFETs rf Spaander

SD4933MR Field Effect Transistor-Transistorsfets MOSFETs rf Spaander

CGHV60170D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGHV60170D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGH09120F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGH09120F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

3SK291 (TE85L, F) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

3SK291 (TE85L, F) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

3SK292 (TE85R, F) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

3SK292 (TE85R, F) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGH60030D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGH60030D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGH60060D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGH60060D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

LET9060F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

LET9060F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGH27030F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGH27030F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGHV40320D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGHV40320D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGH60120D Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

CGH60120D Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

VRF151G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

VRF151G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

ARF1501 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

ARF1501 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

ARF477FL gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

ARF477FL gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGHV60040D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGHV60040D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGHV1J025D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGHV1J025D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

1 2 3 4 5 6 7 8