Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

LET9060F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

LET9060F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

LET9060F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
LET9060F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  LET9060F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

LET9060F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: LET9060F Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET N-CH 80V 12 A.M. - 250 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

LET9060F specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 945MHz
Aanwinst 18dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie 12A
Geluidsniveau -
Huidig - Test 400mA
Macht - Output 75W
Geschat voltage - 80V
Pakket/Geval M250
Het Pakket van het leveranciersapparaat M250
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

LET9060F verpakking

Opsporing

LET9060F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0LET9060F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1LET9060F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2LET9060F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)