Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MRF1K50GNR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MRF1K50GNR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MRF1K50GNR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MRF1K50GNR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MRF1K50GNR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MRF1K50GNR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MRF1K50GNR5 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: WIDEBAND RF-MACHT LDMOS TRANSIST Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MRF1K50GNR5 specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 1.8MHz ~ 500MHz
Aanwinst 23dB
Voltage - Test 50V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test -
Macht - Output 1500W
Geschat voltage - 50V
Pakket/Geval OM-1230g-4L
Het Pakket van het leveranciersapparaat OM-1230g-4L
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MRF1K50GNR5 verpakking

Opsporing

MRF1K50GNR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MRF1K50GNR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MRF1K50GNR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MRF1K50GNR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)