Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MMRF1020-04NR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MMRF1020-04NR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MMRF1020-04NR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MMRF1020-04NR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MMRF1020-04NR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MMRF1020-04NR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MMRF1020-04NR3 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MMRF1020-04NR3 specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype (Dubbele) LDMOS
Frequentie 920MHz
Aanwinst 19.5dB
Voltage - Test 48V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 860mA
Macht - Output 100W
Geschat voltage - 105V
Pakket/Geval Om780-4
Het Pakket van het leveranciersapparaat Om780-4
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MMRF1020-04NR3 verpakking

Opsporing

MMRF1020-04NR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MMRF1020-04NR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MMRF1020-04NR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MMRF1020-04NR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)