Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

CGHV14800F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

CGHV14800F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGHV14800F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
CGHV14800F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  CGHV14800F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

CGHV14800F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: CGHV14800F Fabrikant: Cree/Wolfspeed
Beschrijving: HEMT VAN 800-W 1200-1400-MHZ GAN Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

CGHV14800F specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype HEMT
Frequentie 1.4GHz
Aanwinst 14.5dB
Voltage - Test 50V
Huidige Classificatie 24A
Geluidsniveau -
Huidig - Test 800mA
Macht - Output 900W
Geschat voltage - 125V
Pakket/Geval 440117
Het Pakket van het leveranciersapparaat 440117
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

CGHV14800F verpakking

Opsporing

CGHV14800F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0CGHV14800F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1CGHV14800F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2CGHV14800F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)