Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

CGHV50200F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

CGHV50200F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGHV50200F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
CGHV50200F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  CGHV50200F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

CGHV50200F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: CGHV50200F Fabrikant: Cree/Wolfspeed
Beschrijving: 200-W 4400-5000-MHZ 50-OHM I Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

CGHV50200F specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype HEMT
Frequentie 5GHz
Aanwinst 11.8dB
Voltage - Test 40V
Huidige Classificatie 17A
Geluidsniveau -
Huidig - Test 1A
Macht - Output 200W
Geschat voltage - 125V
Pakket/Geval 440217
Het Pakket van het leveranciersapparaat 440217
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

CGHV50200F verpakking

Opsporing

CGHV50200F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0CGHV50200F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1CGHV50200F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2CGHV50200F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)