Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MMBFJ310LT3G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MMBFJ310LT3G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MMBFJ310LT3G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MMBFJ310LT3G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MMBFJ310LT3G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MMBFJ310LT3G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MMBFJ310LT3G Fabrikant: OP Halfgeleider
Beschrijving: JFET N-CH 25V 60MA SOT23 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MMBFJ310LT3G specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype N-Channel JFET
Frequentie -
Aanwinst -
Voltage - Test -
Huidige Classificatie 60mA
Geluidsniveau -
Huidig - Test -
Macht - Output -
Geschat voltage - 25V
Pakket/Geval AAN-236-3, SC-59, DRONKAARD-23-3
Het Pakket van het leveranciersapparaat DRONKAARD-23-3 (AAN-236)
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MMBFJ310LT3G verpakking

Opsporing

MMBFJ310LT3G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MMBFJ310LT3G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MMBFJ310LT3G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MMBFJ310LT3G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)