Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MMBFJ309LT1G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MMBFJ309LT1G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MMBFJ309LT1G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MMBFJ309LT1G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MMBFJ309LT1G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MMBFJ309LT1G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MMBFJ309LT1G Fabrikant: OP Halfgeleider
Beschrijving: JFET N-CH 25V 30MA SOT23 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MMBFJ309LT1G specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype N-Channel JFET
Frequentie -
Aanwinst -
Voltage - Test -
Huidige Classificatie 30mA
Geluidsniveau -
Huidig - Test -
Macht - Output -
Geschat voltage - 25V
Pakket/Geval AAN-236-3, SC-59, DRONKAARD-23-3
Het Pakket van het leveranciersapparaat DRONKAARD-23-3 (AAN-236)
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MMBFJ309LT1G verpakking

Opsporing

MMBFJ309LT1G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MMBFJ309LT1G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MMBFJ309LT1G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MMBFJ309LT1G gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)