Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

BF1107,215 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

BF1107,215 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

BF1107,215 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
BF1107,215 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  BF1107,215 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

BF1107,215 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: BF1107,215 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: MOSFET N-CH 3V 10MA SOT23 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

BF1107,215 specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype N-Channel
Frequentie -
Aanwinst -
Voltage - Test -
Huidige Classificatie 10mA
Geluidsniveau -
Huidig - Test -
Macht - Output -
Geschat voltage - 3V
Pakket/Geval AAN-236-3, SC-59, DRONKAARD-23-3
Het Pakket van het leveranciersapparaat AAN-236AB (SOT23)
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

BF1107,215 verpakking

Opsporing

BF1107,215 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0BF1107,215 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1BF1107,215 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2BF1107,215 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)