Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MMRF1014NT1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MMRF1014NT1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MMRF1014NT1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MMRF1014NT1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MMRF1014NT1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MMRF1014NT1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MMRF1014NT1 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1,5 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MMRF1014NT1 specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 1.96GHz
Aanwinst 18dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 50mA
Macht - Output 4W
Geschat voltage - 68V
Pakket/Geval Pld-1,5
Het Pakket van het leveranciersapparaat Pld-1,5
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MMRF1014NT1 verpakking

Opsporing

MMRF1014NT1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MMRF1014NT1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MMRF1014NT1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MMRF1014NT1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)