Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MRF6S20010GNR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MRF6S20010GNR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MRF6S20010GNR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MRF6S20010GNR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MRF6S20010GNR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MRF6S20010GNR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MRF6S20010GNR1 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 GW Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MRF6S20010GNR1 specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 2.17GHz
Aanwinst 15.5dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 130mA
Macht - Output 10W
Geschat voltage - 68V
Pakket/Geval Aan-270-2 meeuwvleugel
Het Pakket van het leveranciersapparaat AAN-270-2 MEEUW
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MRF6S20010GNR1 verpakking

Opsporing

MRF6S20010GNR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MRF6S20010GNR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MRF6S20010GNR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MRF6S20010GNR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)