Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

LET20030C gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

LET20030C gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

LET20030C gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
LET20030C gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  LET20030C gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

LET20030C gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: LET20030C Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: FET RF 80V 2GHZ M243 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

LET20030C specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 2GHz
Aanwinst 13.9dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie 9A
Geluidsniveau -
Huidig - Test 400mA
Macht - Output 45W
Geschat voltage - 80V
Pakket/Geval M243
Het Pakket van het leveranciersapparaat M243
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

LET20030C verpakking

Opsporing

LET20030C gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0LET20030C gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1LET20030C gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2LET20030C gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)