Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

A2T23H300-24SR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

A2T23H300-24SR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

A2T23H300-24SR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
A2T23H300-24SR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  A2T23H300-24SR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

A2T23H300-24SR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: A2T23H300-24SR6 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: IC TRANS RF LDMOS Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

A2T23H300-24SR6 specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype (Dubbele) LDMOS
Frequentie 2.3GHz
Aanwinst 14.9dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 750mA
Macht - Output 66W
Geschat voltage - 65V
Pakket/Geval Ni-1230-4LS2L
Het Pakket van het leveranciersapparaat Ni-1230-4LS2L
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

A2T23H300-24SR6 verpakking

Opsporing

A2T23H300-24SR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0A2T23H300-24SR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1A2T23H300-24SR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2A2T23H300-24SR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)