Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

CGHV22200F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

CGHV22200F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGHV22200F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
CGHV22200F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  CGHV22200F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

CGHV22200F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: CGHV22200F Fabrikant: Cree/Wolfspeed
Beschrijving: FET RF 125V 2.2GHZ 440162 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

CGHV22200F specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype HEMT
Frequentie 1.8GHz ~ 2.2GHz
Aanwinst 18dB
Voltage - Test 50V
Huidige Classificatie 12A
Geluidsniveau -
Huidig - Test 1A
Macht - Output 200W
Geschat voltage - 125V
Pakket/Geval 440162
Het Pakket van het leveranciersapparaat 440162
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

CGHV22200F verpakking

Opsporing

CGHV22200F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0CGHV22200F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1CGHV22200F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2CGHV22200F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)