Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

AFT09MS031NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

AFT09MS031NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

AFT09MS031NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
AFT09MS031NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  AFT09MS031NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

AFT09MS031NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: AFT09MS031NR1 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 40V 870MHZ AAN-270-2 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

AFT09MS031NR1 specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 870MHz
Aanwinst 17.2dB
Voltage - Test 13.6V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 500mA
Macht - Output 31W
Geschat voltage - 40V
Pakket/Geval Aan-270AA
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-270-2
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

AFT09MS031NR1 verpakking

Opsporing

AFT09MS031NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0AFT09MS031NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1AFT09MS031NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2AFT09MS031NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)