Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

CGHV27100F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

CGHV27100F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGHV27100F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
CGHV27100F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  CGHV27100F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

CGHV27100F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: CGHV27100F Fabrikant: Cree/Wolfspeed
Beschrijving: FET RF 50V 2.7GHZ 440162 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

CGHV27100F specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype HEMT
Frequentie 2.5GHz ~ 2.7GHz
Aanwinst 18dB
Voltage - Test 50V
Huidige Classificatie 6A
Geluidsniveau -
Huidig - Test 500mA
Macht - Output 100W
Geschat voltage - 50V
Pakket/Geval 440162
Het Pakket van het leveranciersapparaat 440162
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

CGHV27100F verpakking

Opsporing

CGHV27100F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0CGHV27100F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1CGHV27100F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2CGHV27100F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)