Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

BLA6G1011LS-200RG, Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

BLA6G1011LS-200RG, Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

BLA6G1011LS-200RG, Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
BLA6G1011LS-200RG, Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  BLA6G1011LS-200RG, Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

BLA6G1011LS-200RG, Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: BLA6G1011LS-200RG, Fabrikant: Inc. van de Ampleonv.s.
Beschrijving: RF-FET LDMOS 65V 20DB SOT502C Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

BLA6G1011LS-200RG, Specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 1.03GHz ~ 1.09GHz
Aanwinst 20dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie 49A
Geluidsniveau -
Huidig - Test 100mA
Macht - Output 200W
Geschat voltage - 65V
Pakket/Geval Dronkaard-502C
Het Pakket van het leveranciersapparaat LDMOST
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

BLA6G1011LS-200RG, Verpakking

Opsporing

BLA6G1011LS-200RG, Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0BLA6G1011LS-200RG, Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1BLA6G1011LS-200RG, Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2BLA6G1011LS-200RG, Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)