Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

CGHV96050F2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

CGHV96050F2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGHV96050F2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
CGHV96050F2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  CGHV96050F2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

CGHV96050F2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: CGHV96050F2 Fabrikant: Cree/Wolfspeed
Beschrijving: FET RF 100V 9.6GHZ 440210 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

CGHV96050F2 specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype HEMT
Frequentie 7.9GHz ~ 9.6GHz
Aanwinst 10dB
Voltage - Test 40V
Huidige Classificatie 6A
Geluidsniveau -
Huidig - Test 500mA
Macht - Output 70W
Geschat voltage - 100V
Pakket/Geval 440210
Het Pakket van het leveranciersapparaat 440210
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

CGHV96050F2 verpakking

Opsporing

CGHV96050F2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0CGHV96050F2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1CGHV96050F2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2CGHV96050F2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)