Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

BF1105R, 215 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

BF1105R, 215 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

BF1105R, 215 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
BF1105R, 215 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  BF1105R, 215 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

BF1105R, 215 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: BF1105R, 215 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: MOSFET N-CH 7V 30MA DRONKAARD-143R Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

BF1105R, 215 Specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype N-Channel Dubbele Poort
Frequentie 800MHz
Aanwinst 20dB
Voltage - Test 5V
Huidige Classificatie 30mA
Geluidsniveau 1.7dB
Huidig - Test -
Macht - Output -
Geschat voltage - 7V
Pakket/Geval Dronkaard-143R
Het Pakket van het leveranciersapparaat Dronkaard-143R
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

BF1105R, 215 die verpakken

Opsporing

BF1105R, 215 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0BF1105R, 215 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1BF1105R, 215 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2BF1105R, 215 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)