Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MRF8S19260HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MRF8S19260HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MRF8S19260HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MRF8S19260HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MRF8S19260HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MRF8S19260HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MRF8S19260HSR5 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MRF8S19260HSR5 specificaties

Deelstatus Verouderd
Transistortype (Dubbele) LDMOS
Frequentie 1.99GHz
Aanwinst 18.2dB
Voltage - Test 30V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 1.6A
Macht - Output 74W
Geschat voltage - 65V
Pakket/Geval Dronkaard-1110B
Het Pakket van het leveranciersapparaat Ni1230s-8
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MRF8S19260HSR5 verpakking

Opsporing

MRF8S19260HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MRF8S19260HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MRF8S19260HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MRF8S19260HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)