Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MRF8P20100HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MRF8P20100HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MRF8P20100HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MRF8P20100HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MRF8P20100HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MRF8P20100HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MRF8P20100HSR5 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MRF8P20100HSR5 specificaties

Deelstatus Beëindigd bij digi-Sleutel
Transistortype (Dubbele) LDMOS
Frequentie 2.03GHz
Aanwinst 16dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 400mA
Macht - Output 20W
Geschat voltage - 65V
Pakket/Geval Ni-780s-4
Het Pakket van het leveranciersapparaat Ni-780s-4
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MRF8P20100HSR5 verpakking

Opsporing

MRF8P20100HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MRF8P20100HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MRF8P20100HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MRF8P20100HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)