Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

PTAB182002TCV2XWSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

PTAB182002TCV2XWSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

PTAB182002TCV2XWSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
PTAB182002TCV2XWSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  PTAB182002TCV2XWSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

PTAB182002TCV2XWSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: PTAB182002TCV2XWSA1 Fabrikant: Infineon Technologies
Beschrijving: FET LDMOS 190W H-49248H-4 VAN IC RF Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf Reeks: *

PTAB182002TCV2XWSA1 specificaties

Deelstatus De uiterste datum koopt
Transistortype -
Frequentie -
Aanwinst -
Voltage - Test -
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test -
Macht - Output -
Geschat voltage - -
Pakket/Geval -
Het Pakket van het leveranciersapparaat -
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

PTAB182002TCV2XWSA1 verpakking

Opsporing

PTAB182002TCV2XWSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0PTAB182002TCV2XWSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1PTAB182002TCV2XWSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2PTAB182002TCV2XWSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)