Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

PTFA192001EV4T350XWSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

PTFA192001EV4T350XWSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

PTFA192001EV4T350XWSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
PTFA192001EV4T350XWSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  PTFA192001EV4T350XWSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

PTFA192001EV4T350XWSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: PTFA192001EV4T350XWSA1 Fabrikant: Infineon Technologies
Beschrijving: FET LDMOS H-36260-2 VAN IC RF Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf Reeks: *

PTFA192001EV4T350XWSA1 specificaties

Deelstatus De uiterste datum koopt
Transistortype -
Frequentie -
Aanwinst -
Voltage - Test -
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test -
Macht - Output -
Geschat voltage - -
Pakket/Geval -
Het Pakket van het leveranciersapparaat -
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

PTFA192001EV4T350XWSA1 verpakking

Opsporing

PTFA192001EV4T350XWSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0PTFA192001EV4T350XWSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1PTFA192001EV4T350XWSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2PTFA192001EV4T350XWSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)