Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

BLP27M810Z gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

BLP27M810Z gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

BLP27M810Z gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
BLP27M810Z gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  BLP27M810Z gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

BLP27M810Z gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: BLP27M810Z Fabrikant: Inc. van de Ampleonv.s.
Beschrijving: RF-FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

BLP27M810Z specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype (Dubbele) LDMOS, Gemeenschappelijke Bron
Frequentie 2.14GHz
Aanwinst 17dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 110mA
Macht - Output 2W
Geschat voltage - 65V
Pakket/Geval 16-VDFN Blootgesteld Stootkussen
Het Pakket van het leveranciersapparaat 16-HVSON (4x6)
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

BLP27M810Z verpakking

Opsporing

BLP27M810Z gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0BLP27M810Z gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1BLP27M810Z gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2BLP27M810Z gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)