Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MRFE6VS25NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MRFE6VS25NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MRFE6VS25NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MRFE6VS25NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MRFE6VS25NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MRFE6VS25NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MRFE6VS25NR1 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 133V 512MHZ TO270-2 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MRFE6VS25NR1 specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 512MHz
Aanwinst 25.4dB
Voltage - Test 50V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 10mA
Macht - Output 25W
Geschat voltage - 133V
Pakket/Geval Aan-270AA
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-270-2
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MRFE6VS25NR1 verpakking

Opsporing

MRFE6VS25NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MRFE6VS25NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MRFE6VS25NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MRFE6VS25NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)