Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MRFE6S9045NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MRFE6S9045NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MRFE6S9045NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MRFE6S9045NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MRFE6S9045NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MRFE6S9045NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MRFE6S9045NR1 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 66V 880MHZ AAN-270-2 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MRFE6S9045NR1 specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 880MHz
Aanwinst 22.1dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 350mA
Macht - Output 10W
Geschat voltage - 66V
Pakket/Geval Aan-270AA
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-270-2
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MRFE6S9045NR1 verpakking

Opsporing

MRFE6S9045NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MRFE6S9045NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MRFE6S9045NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MRFE6S9045NR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)