Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

BLP7G22-10Z gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

BLP7G22-10Z gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

BLP7G22-10Z gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
BLP7G22-10Z gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  BLP7G22-10Z gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

BLP7G22-10Z gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: BLP7G22-10Z Fabrikant: Inc. van de Ampleonv.s.
Beschrijving: RF-FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

BLP7G22-10Z specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype (Dubbele) LDMOS, Gemeenschappelijke Bron
Frequentie 2.14GHz
Aanwinst 16dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 110mA
Macht - Output 2W
Geschat voltage - 65V
Pakket/Geval 12-VDFN Blootgesteld Stootkussen
Het Pakket van het leveranciersapparaat 12-HVSON (5x6)
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

BLP7G22-10Z verpakking

Opsporing

BLP7G22-10Z gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0BLP7G22-10Z gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1BLP7G22-10Z gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2BLP7G22-10Z gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)