Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MW6S010GNR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MW6S010GNR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MW6S010GNR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MW6S010GNR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MW6S010GNR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MW6S010GNR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MW6S010GNR1 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MW6S010GNR1 specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 960MHz
Aanwinst 18dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 125mA
Macht - Output 10W
Geschat voltage - 68V
Pakket/Geval Aan-270-2 meeuwvleugel
Het Pakket van het leveranciersapparaat AAN-270-2 MEEUW
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MW6S010GNR1 verpakking

Opsporing

MW6S010GNR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MW6S010GNR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MW6S010GNR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MW6S010GNR1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)