Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

NPTB00004A gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

NPTB00004A gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

NPTB00004A gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
NPTB00004A gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  NPTB00004A gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

NPTB00004A gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: NPTB00004A Fabrikant: M/A-Com Technologieoplossingen
Beschrijving: HEMT n-CH 28V 5W gelijkstroom-6GHZ 8SOIC Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

NPTB00004A specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype HEMT
Frequentie 0Hz ~ 6GHz
Aanwinst 14.8dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie 1.4A
Geluidsniveau -
Huidig - Test 50mA
Macht - Output 4W
Geschat voltage - 100V
Pakket/Geval 8-SOIC (0,154“, 3.90mm Breedte)
Het Pakket van het leveranciersapparaat 8-SOIC
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

NPTB00004A verpakking

Opsporing

NPTB00004A gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0NPTB00004A gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1NPTB00004A gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2NPTB00004A gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)