Bericht versturen
Thuis > producten > Veldeffecttransistor > BLF6G27-10G, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

BLF6G27-10G, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Categorie:
Veldeffecttransistor
Prijs:
Negotiable
Betalingswijze:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificaties
Artikelnummer:
BLF6G27-10G, 118
Fabrikant:
Inc. van de Ampleonv.s.
Beschrijving:
RF-FET LDMOS 65V 19DB SOT975C
Categorie:
Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie:
Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Inleiding

BLF6G27-10G, 118 Specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 2.5GHz ~ 2.7GHz
Aanwinst 19dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie 3.5A
Geluidsniveau -
Huidig - Test 130mA
Macht - Output 2W
Geschat voltage - 65V
Pakket/Geval Dronkaard-975C
Het Pakket van het leveranciersapparaat CDFM2
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

BLF6G27-10G, 118 die verpakken

Opsporing

BLF6G27-10G, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf SpaanderBLF6G27-10G, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf SpaanderBLF6G27-10G, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf SpaanderBLF6G27-10G, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
Negotiable