Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

CGHV1F025S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

CGHV1F025S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGHV1F025S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
CGHV1F025S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  CGHV1F025S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

CGHV1F025S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: CGHV1F025S Fabrikant: Cree/Wolfspeed
Beschrijving: FET RF 100V 6GHZ 12DFN Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

CGHV1F025S specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype HEMT
Frequentie 6GHz
Aanwinst 16dB
Voltage - Test 40V
Huidige Classificatie 2A
Geluidsniveau -
Huidig - Test 150mA
Macht - Output 29W
Geschat voltage - 100V
Pakket/Geval 12-VFDFN Blootgesteld Stootkussen
Het Pakket van het leveranciersapparaat 12-DFN (4x3)
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

CGHV1F025S verpakking

Opsporing

CGHV1F025S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0CGHV1F025S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1CGHV1F025S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2CGHV1F025S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)