Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

BLL8H1214LS-500U gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

BLL8H1214LS-500U gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

BLL8H1214LS-500U gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
BLL8H1214LS-500U gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  BLL8H1214LS-500U gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

BLL8H1214LS-500U gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: BLL8H1214LS-500U Fabrikant: Inc. van de Ampleonv.s.
Beschrijving: RF-FET LDMOS 100V 17DB SOT539B Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

BLL8H1214LS-500U specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype (Dubbele) LDMOS, Gemeenschappelijke Bron
Frequentie 1.2GHz ~ 1.4GHz
Aanwinst 17dB
Voltage - Test 50V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 150mA
Macht - Output 500W
Geschat voltage - 100V
Pakket/Geval SOT539B
Het Pakket van het leveranciersapparaat SOT539B
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

BLL8H1214LS-500U verpakking

Opsporing

BLL8H1214LS-500U gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0BLL8H1214LS-500U gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1BLL8H1214LS-500U gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2BLL8H1214LS-500U gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)