Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

CGHV22100F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

CGHV22100F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGHV22100F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
CGHV22100F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  CGHV22100F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

CGHV22100F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: CGHV22100F Fabrikant: Cree/Wolfspeed
Beschrijving: FET RF 125V 2.2GHZ 440162 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

CGHV22100F specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype HEMT
Frequentie 1.8GHz ~ 2.2GHz
Aanwinst 20dB
Voltage - Test 50V
Huidige Classificatie 6A
Geluidsniveau -
Huidig - Test 500mA
Macht - Output 100W
Geschat voltage - 125V
Pakket/Geval 440162
Het Pakket van het leveranciersapparaat 440162
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

CGHV22100F verpakking

Opsporing

CGHV22100F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0CGHV22100F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1CGHV22100F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2CGHV22100F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)