Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

CGHV1J006D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

CGHV1J006D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGHV1J006D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
CGHV1J006D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  CGHV1J006D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

CGHV1J006D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: CGHV1J006D Fabrikant: Cree/Wolfspeed
Beschrijving: RF-MOSFET HEMT 40V MATRIJS Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

CGHV1J006D specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype HEMT
Frequentie 18GHz
Aanwinst 17dB
Voltage - Test 40V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 30mA
Macht - Output 6W
Geschat voltage - 100V
Pakket/Geval Matrijs
Het Pakket van het leveranciersapparaat Matrijs
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

CGHV1J006D verpakking

Opsporing

CGHV1J006D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0CGHV1J006D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1CGHV1J006D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2CGHV1J006D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)