Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

BLC9G20LS-120VZ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

BLC9G20LS-120VZ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

BLC9G20LS-120VZ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
BLC9G20LS-120VZ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  BLC9G20LS-120VZ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

BLC9G20LS-120VZ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: BLC9G20LS-120VZ Fabrikant: Inc. van de Ampleonv.s.
Beschrijving: RF-FET LDMOS 65V 19.2DB SOT12753 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

BLC9G20LS-120VZ specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 1.81GHz ~ 1.88GHz
Aanwinst 19.2dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 700mA
Macht - Output 120W
Geschat voltage - 65V
Pakket/Geval Sot1275-3
Het Pakket van het leveranciersapparaat -
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

BLC9G20LS-120VZ verpakking

Opsporing

BLC9G20LS-120VZ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0BLC9G20LS-120VZ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1BLC9G20LS-120VZ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2BLC9G20LS-120VZ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)