Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

LET20045C gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

LET20045C gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

LET20045C gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
LET20045C gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  LET20045C gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

LET20045C gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: LET20045C Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: RF-MOSFET N CH 80V 12A M243 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

LET20045C specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 2GHz
Aanwinst 13.3dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie 12A
Geluidsniveau -
Huidig - Test 500mA
Macht - Output 54W
Geschat voltage - 80V
Pakket/Geval M243
Het Pakket van het leveranciersapparaat M243
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

LET20045C verpakking

Opsporing

LET20045C gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0LET20045C gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1LET20045C gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2LET20045C gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)