Bericht versturen
Vraag een offerte aan |
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

BLS6G3135-20,112 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Alle producten

IC's voor geïntegreerde schakelingen

(7037)

Geheugen IC-chip

(2998)

Analoge Isolator IC

(2527)

Microcontrollers en Ingebedde Bewerkers

(5000)

Veldeffecttransistor

(1833)

IGBT-voedingsmodule

(1002)

Diodetriode

(303)

Algemeen Doelcondensator

(41)

Connectors Interconnects

(83)

SMD-Machtsinductor

(100)

Relaiscomponent

(203)

De Zekeringen van de kringsbescherming

(195)
Ik ben online Chatten Nu

BLS6G3135-20,112 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

BLS6G3135-20,112 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
BLS6G3135-20,112 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  BLS6G3135-20,112 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000
Contact

BLS6G3135-20,112 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: BLS6G3135-20,112 Fabrikant: Inc. van de Ampleonv.s.
Beschrijving: RF-FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608A Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

BLS6G3135-20,112 specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 3.1GHz ~ 3.5GHz
Aanwinst 15.5dB
Voltage - Test 32V
Huidige Classificatie 2.1A
Geluidsniveau -
Huidig - Test 50mA
Macht - Output 20W
Geschat voltage - 60V
Pakket/Geval Dronkaard-608A
Het Pakket van het leveranciersapparaat CDFM2
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

BLS6G3135-20,112 verpakking

Opsporing

BLS6G3135-20,112 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0BLS6G3135-20,112 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1BLS6G3135-20,112 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2BLS6G3135-20,112 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

label:

FET Gebiedseffect Transistor,

Machtsmosfet Transistor,

Mosfet het Effect van het Spaander75vpower Gebied Transistor

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Over

IC's voor geïntegreerde schakelingen

Van de cipreshalfgeleider ICS USB de Monolithische Kring Van geïntegreerde schakelingen 48TQFP CY7C65632-48AXC

Van het batterijbeheer de Spaander van de de Brandstofmaat ICS Ti van Van geïntegreerde schakelingen BQ20Z65DBTR-R1

De Controlemechanismenbestuurders IRL IR2110STRPBF van SMD/SMT-ICs Ontsteking van de Van geïntegreerde schakelingen

STM32F405RGT6 Microcontrollers en Ingebedde Bewerkersmcu St 1024 FLITS

STM32F407VET6 geïntegreerde schakelingen ICs

MCU Ingebedde Bewerkers & Controlemechanismen STM32F103RCT6

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | China Goed Kwaliteit IC's voor geïntegreerde schakelingen Leverancier. © 2023 integratedcircuitsics.com. All Rights Reserved.