Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

AFT05MS003NT1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

AFT05MS003NT1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

AFT05MS003NT1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
AFT05MS003NT1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  AFT05MS003NT1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

AFT05MS003NT1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: AFT05MS003NT1 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: IC TRANS RF LDMOS Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

AFT05MS003NT1 specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 520MHz
Aanwinst 20.8dB
Voltage - Test 7.5V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 100mA
Macht - Output 3W
Geschat voltage - 30V
Pakket/Geval Aan-243AA
Het Pakket van het leveranciersapparaat Dronkaard-89-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

AFT05MS003NT1 verpakking

Opsporing

AFT05MS003NT1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0AFT05MS003NT1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1AFT05MS003NT1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2AFT05MS003NT1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)