Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

2SK3475TE12IF gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

2SK3475TE12IF gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

2SK3475TE12IF gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
2SK3475TE12IF gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  2SK3475TE12IF gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

2SK3475TE12IF gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: 2SK3475TE12IF Fabrikant: De Halfgeleider en de Opslag van Toshiba
Beschrijving: MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

2SK3475TE12IF specificaties

Deelstatus Beëindigd bij digi-Sleutel
Transistortype N-Channel
Frequentie 520MHz
Aanwinst 14.9dB
Voltage - Test 7.2V
Huidige Classificatie 1A
Geluidsniveau -
Huidig - Test 50mA
Macht - Output 630mW
Geschat voltage - 20V
Pakket/Geval Aan-243AA
Het Pakket van het leveranciersapparaat Sc-62
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

2SK3475TE12IF verpakking

Opsporing

2SK3475TE12IF gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 02SK3475TE12IF gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 12SK3475TE12IF gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 22SK3475TE12IF gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)