Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

BLP10H603AZ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

BLP10H603AZ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

BLP10H603AZ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
BLP10H603AZ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  BLP10H603AZ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

BLP10H603AZ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: BLP10H603AZ Fabrikant: Inc. van de Ampleonv.s.
Beschrijving: RF-FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

BLP10H603AZ specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 860MHz
Aanwinst 22.8dB
Voltage - Test 50V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 15mA
Macht - Output 2.5W
Geschat voltage - 104V
Pakket/Geval 12-VDFN Blootgesteld Stootkussen
Het Pakket van het leveranciersapparaat 12-HVSON (5x6)
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

BLP10H603AZ verpakking

Opsporing

BLP10H603AZ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0BLP10H603AZ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1BLP10H603AZ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2BLP10H603AZ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)