Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

2SK3079ATE12LQ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

2SK3079ATE12LQ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

2SK3079ATE12LQ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
2SK3079ATE12LQ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  2SK3079ATE12LQ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

2SK3079ATE12LQ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: 2SK3079ATE12LQ Fabrikant: De Halfgeleider en de Opslag van Toshiba
Beschrijving: MOSF RF N CH 10V PW-X Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

2SK3079ATE12LQ specificaties

Deelstatus Beëindigd bij digi-Sleutel
Transistortype N-Channel
Frequentie 470MHz
Aanwinst 13.5dB
Voltage - Test 4.5V
Huidige Classificatie 3A
Geluidsniveau -
Huidig - Test 50mA
Macht - Output 33.5dBmW
Geschat voltage - 10V
Pakket/Geval Aan-271AA
Het Pakket van het leveranciersapparaat Pw-X
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

2SK3079ATE12LQ verpakking

Opsporing

2SK3079ATE12LQ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 02SK3079ATE12LQ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 12SK3079ATE12LQ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 22SK3079ATE12LQ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)