Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

Xf1001-Sc-0G0T Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

Xf1001-Sc-0G0T Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Xf1001-Sc-0G0T Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
Xf1001-Sc-0G0T Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  Xf1001-Sc-0G0T Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

Xf1001-Sc-0G0T Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: Xf1001-Sc-0G0T Fabrikant: M/A-Com Technologieoplossingen
Beschrijving: TRANS HFET 1W SOT89 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

Xf1001-Sc-0G0T Specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype HFET
Frequentie 6GHz
Aanwinst 15.5dB
Voltage - Test 8V
Huidige Classificatie 450mA
Geluidsniveau 4.5dB
Huidig - Test 300mA
Macht - Output -
Geschat voltage - 9V
Pakket/Geval Aan-243AA
Het Pakket van het leveranciersapparaat Dronkaard-89-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

Xf1001-Sc-0G0T Verpakking

Opsporing

Xf1001-Sc-0G0T Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0Xf1001-Sc-0G0T Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1Xf1001-Sc-0G0T Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2Xf1001-Sc-0G0T Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)