Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MRFE6VP6300HSR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MRFE6VP6300HSR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MRFE6VP6300HSR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MRFE6VP6300HSR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MRFE6VP6300HSR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MRFE6VP6300HSR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MRFE6VP6300HSR3 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MRFE6VP6300HSR3 specificaties

Deelstatus Beëindigd bij digi-Sleutel
Transistortype (Dubbele) LDMOS
Frequentie 230MHz
Aanwinst 26.5dB
Voltage - Test 50V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 100mA
Macht - Output 300W
Geschat voltage - 130V
Pakket/Geval Ni-780s-4
Het Pakket van het leveranciersapparaat Ni-780s-4
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MRFE6VP6300HSR3 verpakking

Opsporing

MRFE6VP6300HSR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MRFE6VP6300HSR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MRFE6VP6300HSR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MRFE6VP6300HSR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)