Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MRFE6VP8600HR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MRFE6VP8600HR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MRFE6VP8600HR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MRFE6VP8600HR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MRFE6VP8600HR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MRFE6VP8600HR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MRFE6VP8600HR6 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230H Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MRFE6VP8600HR6 specificaties

Deelstatus Beëindigd bij digi-Sleutel
Transistortype (Dubbele) LDMOS
Frequentie 860MHz
Aanwinst 19.3dB
Voltage - Test 50V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 1.4A
Macht - Output 125W
Geschat voltage - 130V
Pakket/Geval Ni-1230
Het Pakket van het leveranciersapparaat Ni-1230
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MRFE6VP8600HR6 verpakking

Opsporing

MRFE6VP8600HR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MRFE6VP8600HR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MRFE6VP8600HR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MRFE6VP8600HR6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)