Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MRF6V13250HSR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MRF6V13250HSR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MRF6V13250HSR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MRF6V13250HSR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MRF6V13250HSR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MRF6V13250HSR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MRF6V13250HSR3 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 120V 1.3GHZ NI780S Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MRF6V13250HSR3 specificaties

Deelstatus Beëindigd bij digi-Sleutel
Transistortype LDMOS
Frequentie 1.3GHz
Aanwinst 22.7dB
Voltage - Test 50V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 100mA
Macht - Output 250W
Geschat voltage - 120V
Pakket/Geval Ni-780S
Het Pakket van het leveranciersapparaat Ni-780S
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MRF6V13250HSR3 verpakking

Opsporing

MRF6V13250HSR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MRF6V13250HSR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MRF6V13250HSR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MRF6V13250HSR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)