Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MRF7S21170HR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MRF7S21170HR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MRF7S21170HR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MRF7S21170HR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MRF7S21170HR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MRF7S21170HR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MRF7S21170HR3 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MRF7S21170HR3 specificaties

Deelstatus Verouderd
Transistortype LDMOS
Frequentie 2.17GHz
Aanwinst 16dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 1.4A
Macht - Output 50W
Geschat voltage - 65V
Pakket/Geval Ni-880
Het Pakket van het leveranciersapparaat Ni-880
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MRF7S21170HR3 verpakking

Opsporing

MRF7S21170HR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MRF7S21170HR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MRF7S21170HR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MRF7S21170HR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)