Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MRF6S21050LR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MRF6S21050LR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MRF6S21050LR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MRF6S21050LR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MRF6S21050LR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MRF6S21050LR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MRF6S21050LR3 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 68V 2.16GHZ NI-400 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MRF6S21050LR3 specificaties

Deelstatus Verouderd
Transistortype LDMOS
Frequentie 2.16GHz
Aanwinst 16dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 450mA
Macht - Output 11.5W
Geschat voltage - 68V
Pakket/Geval Ni-400
Het Pakket van het leveranciersapparaat Ni-400
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MRF6S21050LR3 verpakking

Opsporing

MRF6S21050LR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MRF6S21050LR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MRF6S21050LR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MRF6S21050LR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)